CS5510/11/12/13
模拟特性
（续）
参数
参考电压输入
范围
输入电容
CVF电流
电源
电源电压
直流电源电流
I
V+
{(V+) - (V-)}
（注9 ）
CS5510
CS5511
CS5512
CS5513
CS5510
CS5511
CS5512
CS5513
（注10 ）
CS5510
CS5511
CS5512
CS5513
（注11 ）
4.75
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
275
290
360
385
275
290
360
385
1.4
1.5
1.8
1.9
10
85
85
5.25
360
380
470
500
360
380
470
500
1.9
2.0
2.5
2.7
-
-
-
V
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
mW
mW
mW
mW
µW
dB
dB
{ （VREF ） - （ V-） }
（注8） 0.250
-
-
2.5
7
6
(V+) - (V-)
-
-
V
pF
nA
民
典型值
最大
单位
I
V-
耗电量
睡觉
电源抑制
备注： 8 。
9.
10.
11.
直流正电源
直流负电源
VREF为参考V-和必须小于或等于V + 。
由于电流通过CS引脚，我
V+
我
V-
可能并不总是相同的值。
所有输出卸载。所有输入CMOS电平（ > （V + - 0.6V）或< （V- + 0.6V） ） 。
CS必须处于非活动状态（高电平），睡眠时能满足这个权力规范。
数字特性
(T
A
= 25°C ; V + = 5 V
±5%;
V- = 0 V） （见注1和12 ）
参数
高电平输入电压：
低电平输入电压：
输入电流：
高电平输出电压：
低电平输出电压：
输入漏电流
三态泄漏电流
CS和SCLK
符号
V
IH
CS
低
民
V+ - 0.45
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
±0.015
-
最大
-
V
L1
V
L1
1.0
-
(
CS
低
) + 0.6
±10
±10
单位
V
V
V
mA
V
V
µA
µA
（注13 ）
CS
SCLK
（注14 ）
CS
SDO ，我
来源
= 5.0毫安
（注14 ）， SDO ，我
SINK
= 1.0毫安
SCLK
SCLK
V
IL
I
CS
V
OH
V
OL
I
in
I
OZ
(V+) - 0.6
-
-
-
备注： 12.在静态条件下进行所有的测量。
13. V
L1
为0.5 （V + - V-） + 0.6 V + V-。
14. CS信号为SDO引脚的灌电流路径当CS为低电平。外部驱动器逻辑
到CS ，因此，必须能够处理的逻辑低电流驱动电平对于连接到所有设备
SDO 。为SDO指定的电压是相对于连拍
低
。参见第2.3.1节，
和
图11给出了更多的细节。
DS337F3
5
CIRRUS [ CIRRUS LOGIC ]
