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T I
nnova
PA09,
I
PA09A
o
N·
F
r
r
o
o
m
m
PA09 • PA09A
PA09 • PA09A
功率运算放大器
特点
•功率MOS技术 - 2A峰值评级
•高增益带宽产品 - 150MHz的
•非常快速压摆率 - 200V / μs的
•保护输出级 - 热敏关闭
•卓越的线性度 - A / B类输出
•宽电源范围 - ± 12V到± 40V
•低偏置电流，低噪音 - FET输入
应用
•视频分配及和放大
•高速偏转电路
•功率传感器至2MHz
•同轴线路驱动器
•电源LED或激光二极管激励
8-PIN TO-3
包装样式CE
偏转放大器（图
1)
图1的偏转放大器电路实现arbi-
trary光束定位为快速抬头显示器。最大
过渡时间，同时提供2A电流PK到4微秒
13mH的线圈。的关键，这是电路的感测电阻器（R
S
)
它把枷锁电流到电压的运算放大器的反馈。
这种负反馈迫使线圈电流保持完全相同
正比于控制电压。自由下列组成的网络
R
D
, R
F
和C
F
用于从通过R的电流反馈移位
S
到在高频率的直流电压反馈。这消除
所造成的电感器的额外相移，从而防止
振荡。参见应用笔记5本和其他细节
高精度磁偏转电路。
描述
该PA09是一种高电压，高输出电流的运算
放大器的优化，通过从直流驱动各种负载
视频频率范围。优越的输入精度达到
与该级联双单片FET输入晶体管
由两个高压晶体管，提供杰出共同
模式特点。所有内部的电流和电压电平是
引用到一个齐纳二极管由一个电流源偏置上。如
结果， PA09以上显示出优异的直流和交流稳定性
在宽电源和温度范围内。
高速并避免二次击穿的自由是有保证的
通过互补功率MOS输出级。为了达到最佳
线性度，尤其是在低的水平，功率MOS晶体管
被偏置在A / B类模式。热关断提供
全部防护，防止过热和限制散热器
要求消散在内部功率损失
正常操作条件下。内置的电流限制保护
放大器对overloading.Transient感性负载反冲
保护是由两个内部钳位二极管提供。外
相位补偿允许在用户最大的灵活性
获得最佳的压摆率和增益带宽积
在所有增益设置。为在载荷作用下的连续操作
建议适当型号的散热器。
这种混合集成电路采用较厚液膜（金属陶瓷）电阻
器，陶瓷电容器和硅半导体芯片
最大限度地提高可靠性，减小尺寸，并获得最佳性能。
超声粘合铝导线提供了可靠的接口
在所有工作温度下的连接。通过CE ， 8引脚TO- 3
包hermeti-
+37V
di
= 2A / μs的
C
C
5pF
美云密封和电
dt
3
trically隔离。该
7
4
I = V
i
/R
S
8
使用COM-可压缩的的
V
I
1
热垫圈和/
PA09
5
C
F
L
Y
或不当mount-
470pF
13µH
荷兰国际集团扭矩将导致
6
R
D
1Ω
产品保修失效。
–37V
R
F
3.9K
请参阅“一般
工作考虑 -
100Ω R
S
ations “
.
.5Ω
图1 PA09 AS偏转放大器
等效原理图
2
3
D1
Q5
Q1
7
8
C1
Q3
Q4
Q6
Q7
1
Q2
Q13
Q8
Q12A
5
Q9
C2
Q12B
Q10
Q11
Q14
Q17
Q19
Q16
4
D3
Q15
Q18
D2
6
外部连接
+V
S
3
BAL
2
1
R
T
+ IN
R
S
✱In
OUT
4
顶视图
5
6
8
7
–V
S
C
C
R
C
C
C
R
S
= (|+V
S
| + |–V
S
|) R
T
/1.6
注：输入失调电压微调选项。 ř
T
= 10KΩ MAX
PA09U
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2009年5月
1
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