产品
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N 2 O V A T O服务
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PA119CE,
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PA119CEA
Ø M
从
PA119CE • PA119CEA
PA119CE • PA119CEA
视频功耗运算放大器
特点
•非常快速压摆率 - 900 V / μs的
•功率MOS技术 - 4A峰值评级
•低内部损耗 - 在0.75V 2A
•保护输出级 - 热敏关闭
•宽电源范围 - ± 15V到± 40V
应用
•视频分发和放大
•高速偏转电路
•功率传感器高达5 MHz的
•调制RF功率级
•电源LED或激光二极管激励
8引脚TO- 3
包装样式CE
典型用途
这种快速功率驱动器利用900V /μs的摆率
PA119和提供与当前输出的唯一接口
DAC 。利用DAC的内部1KΩ反馈电阻，
温度漂移误差最小化，由于温度
内部电流源和内部的漂移系数
DAC的反馈电阻密切配合。增益
V
OUT
到我
IN
为-6.5 /毫安。 DAC的内部1K的电阻在一起
与外部500Ω和110Ω形成在一个“ T形网络”的
围绕PA119反馈路径。这种有效的抵抗
等于6.5KΩ 。因此，整个电路可被建模
为6.5KΩ反馈电阻从输出到反相输入端和
一个5毫安电流源到PA119的反相输入端。
现在，我们看到了熟悉的电流到电压转换为
DAC其中V
OUT
= –I
IN
个R
反馈
.
描述
该PA119是一种高电压，大电流运算扩增
网络连接器优化以通过从直流驱动各种负载
视频频率范围。优越的输入精度达到
与该级联双单片FET输入晶体管
由两个高压晶体管，提供杰出共同
模式特点。所有内部的电流和电压电平
参照的是一个齐纳二极管由一个电流源偏置上。
作为一个结果， PA119具有优异的直流和交流稳定性
在宽电源和温度范围内。
高速并避免二次击穿的自由是有保证的
通过互补功率MOS输出级。为了达到最佳
线性度，尤其是在低的水平，功率MOS晶体管
被偏置在A / B类模式。热关断提供
全部防护，防止过热和限制散热器
要求消散在内部功率损失
正常操作条件下。内置的0.5A的电流限制
可以增加，增加了两个外部电阻。
瞬态电感负载反冲保护被提供
两个内部钳位二极管。外部相位补偿
允许用户最大的灵活性以获得最佳的
压摆率和增益带宽积，在所有增益设置。一
建议适当型号的散热器。
这些混合型电路采用厚膜（金属陶瓷）电阻，陶瓷
电容器和硅半导体芯片，以最大限度地提高可靠性
能力，减小尺寸，并获得最佳性能。超声
粘合铝导线提供了可靠的互连可言
操作温度。 8引脚TO- 3封装hermeti-
美云密封和电绝缘。使用compress-的
IBLE热垫圈和/或不正确安装扭矩
会使产品保修失效。请参阅“一般操作
注意事项“
.
等效原理图
3
Q1
Q3
Q5
8
Q2
2
Q4
Q7
Q8
Q10
Q11
Q9
Q15
D1
Q20
Q12
Q13
Q16
1
5
Q19
Q21
Q22
Q24
Q25
7
Q17A
4
Q17B
Q23
D2
6
典型
应用
±5mA
1K
DAC
+40V
R
CL +
PA119
R
CL =
5.6pF
110Ω
500Ω
±32.5V
高达4A
外部连接
RCL +
+V
+ IN
✱In
–V
4
3
2
1
相位补偿
OUT
CC
收益
1
10
100
1000
CC
330pF
22pF
2.2pF
无
5
6
顶部
意见
8
7
–40V
PA119快速功率驱动器
RCL ↑
PA119U
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（版权所有）
2010年2月
1
APEX - PA119UREVC
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