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型号: CLT250
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内容描述: NPN硅光电晶体管 [NPN Silicon Phototransistor]
分类和应用: 晶体光电晶体管光电晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 106 K
品牌: CLAIREX [ CLAIREX TECHNOLOGIES, INC ]
   
CLT250
NPN硅光电晶体管
初步
®
CLAIREX
2006年6月,
技术公司
.
0.007 (0.18)
0.003 (0.08)
辐射源
0.090 (2.29)
0.080 (2.03)
0.024 (0.61)
0.016 (0.41)
0.062 (1.57)
0.057 (1.45)
0.093 (2.36)
0.083 (2.11)
0.125 (3.18)
0.102 (2.59)
集热器
所有尺寸为英寸(毫米)
特点
± 18 °接收角
微型气密封装
高灵敏度
频谱匹配的CLE250
符合RoHS
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
储存温度................................................ ....................... -65 ° C至+ 150°C
工作温度................................................ .................... -65 ° C至+ 125°C
引线焊接温度
(1)
.......................................................................... 260°C
集电极 - 发射极电压.............................................. ........................................ 30V
发射极 - 集电极电压.............................................. .......................................... 5V
(2)
连续功率耗散............................................... ......................为125mW
1.
2.
最大5秒。
降额直线1.0MW / ℃,从25℃自由空气温度至T
A
= +125°C.
描述
该CLT250是一个NPN硅
光电晶体管安装在一
密封包装用
玻璃镜片。这个包是
非常适合安装到
双面印刷电路板,是
能够可靠运行过
宽的温度范围内。
注意事项:
电气特性
(在T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
I
L
参数
典型值
最大
单位
测试条件
光电流
(3)
7.0
-
-
mA
V
CE
= 5V , H = 20毫瓦/平方厘米
2
I
首席执行官
集电极暗电流
-
-
100
nA
V
CE
= 10V, H = 0
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
30
-
-
V
V
CE
= 10V ,我
C
= 100µA
V
( BR ) ECO
发射极 - 集电极击穿电压
5.0
-
-
V
V
CE
= 10V ,我
E
= 100µA
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
-
-
0.4
V
I
C
= 1mA时, H = 20毫瓦/平方厘米
2
半灵敏度点总角度
-
36
-
度。
Θ
HP
t
r,
t
f
辐射的上升和下降时间
-
15
-
µs
V
CE
= 5V ,我
C
= 1毫安,R
L
= 1KΩ
注意事项:
3.辐射源是钨灯以2854 °K色温的操作。
Clairex保留随时进行修改,以提高设计和提供最好的产品的权利。
修订06年4月22日
Clairex技术公司
电话: 972-265-4900
1301东百汇普莱诺
传真: 972-265-4949
德克萨斯州普莱诺75074-8524
www.clairex.com