CPC3703C 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CPC3703C
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内容描述：	N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 98 K
品牌：	CLARE [ CLARE, INC. ]

CPC3703

N沟道耗尽型模式

垂直的DMOS场效应管

DSX

DGX

250V

DS （ ON）

（最大）

4Ω

DSS

（分钟）

360mA

包

SOT-89

描述

该CPC3703是N沟道，耗尽型，场

效应晶体管（FET），其利用克莱尔的专有

第三代垂直DMOS工艺。该

第三代的过程实现了世界级高

在一个经济的电压的MOSFET的性能

硅栅工艺。我们的垂直DMOS工艺

产生一个强大的设备，具有高输入阻抗，

适用于高功率应用中使用。该CPC3703

是，已经使用的可靠性高的场效应晶体管器件

广泛克莱尔的固态继电器工业

和电信应用。

该器件擅长于电源应用要求

低的漏 - 源电阻，特别是在冷

环境中，如汽车点火模块。

该CPC3703提供了一个低， 4最大，通态

电阻在25℃ 。

该CPC3703具有的最小击穿电压

250V，并且是在一个SOT89封装。如同

所有MOS器件中，FET结构防止热

失控和热引起的二次击穿。

特点

•

耗尽型器件提供低R

DS （ ON）

在冷

温度

•

低导通电阻为4欧姆最大。在25ºC

•

高输入阻抗

•

高击穿电压250V

•

低V

GS （ OFF ）

电压-1.6至-3.9V

•

小尺寸封装SOT89

应用

•

点火模块

常通开关

固态继电器

转换器

电信

电源

订购信息

产品编号

CPC3703C

CPC3703CTR

描述

SOT89 （ 100 /管）

SOT89 （ 2000 /卷）

封装引脚

电路符号

(SOT89)

RoHS指令

2002/95/EC

www.clare.com

DS-CPC3703-R03

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