2安培双通道低侧
超高速MOSFET驱动器
特点
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2A峰值源出/吸入驱动电流
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宽工作电压范围： 4.5V至35V
•
-40 ° C至+ 125 °C扩展工作温度
范围
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逻辑输入可承受高达5V的负摆幅
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匹配的上升和下降时间
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低传播延迟时间
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10μA的低电源电流
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低输出阻抗
IXD_602
描述
该IXDF602 / IXDI602 / IXDN602双高速门
司机特别适合井用于驱动最新
IXYS MOSFET和IGBT 。每两个输出中的
可以提供和吸收的峰值电流2A时
产生的电压上升和小于10ns的下降时间。
各驱动器的输入是CMOS兼容，并且是
几乎不受闭锁。专有电路
消除交叉传导电流
“直通”低传播延迟和快速，
匹配的上升和下降时间，使IXD_602家庭
非常适合高频率和高功率应用。
该IXDN602被配置为双非反相
驱动程序， IXDI602被配置为双反相
驱动程序和IXDF602有一个翻转，一个
非反相驱动器。
该IXD_602家庭可在一个标准的8引脚
DIP （ PI ） ， 8引脚SOIC （ SIA ） ， 8引脚SOIC电源
带有暴露的金属背（SI） ，和一个8引脚DFN
（D2）的包。
应用
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•
高效功率MOSFET和IGBT的开关
开关模式电源
电机控制
DC到DC转换
D类开关放大器器
脉冲变压器驱动器
Pb
RoHS指令
2002/95/EC
e
3
订购信息
产品型号
IXDF602D2TR
IXDF602PI
IXDF602SI
IXDF602SITR
IXDF602SIA
IXDF602SIATR
IXDI602D2TR
IXDI602PI
IXDI602SI
IXDI602SITR
IXDI602SIA
IXDI602SIATR
IXDN602D2TR
IXDN602PI
IXDN602SI
IXDN602SITR
IXDN602SIA
IXDN602SIATR
逻辑
CON组fi guration
套餐类型
8引脚DFN
8引脚DIP
8引脚SOIC封装功率与裸露的金属回
8引脚SOIC封装功率与裸露的金属回
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚DFN
8引脚DIP
8引脚SOIC封装功率与裸露的金属回
8引脚SOIC封装功率与裸露的金属回
8引脚SOIC
8引脚SOIC
8引脚DFN
8引脚DIP
8引脚SOIC封装功率与裸露的金属回
8引脚SOIC封装功率与裸露的金属回
8引脚SOIC
8引脚SOIC
填料
法
磁带&卷轴
管
管
磁带&卷轴
管
磁带&卷轴
磁带&卷轴
管
管
磁带&卷轴
管
磁带&卷轴
磁带&卷轴
管
管
磁带&卷轴
管
磁带&卷轴
QUANTITY
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INB
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DS- IXD_602 - R02
www.clare.com
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CLARE [ CLARE, INC. ]
