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IXDN602SI 参数 Datasheet PDF下载

IXDN602SI图片预览
型号: IXDN602SI
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内容描述: 2安培双低侧超快MOSFET驱动器 [2-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers]
分类和应用: 驱动器
文件页数/大小: 13 页 / 1594 K
品牌: CLARE [ CLARE, INC. ]
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IXD_602
1.5电气特性:T已
A
= 25°C
测试条件: 4.5V < V
CC
< 35V ,一个信道(除非另有说明) 。
参数
输入电压,高
输入电压,低
输入电流
输出电压,高
输出电压,低
输出电阻,高国
输出阻抗,低状态
输出电流,连续
上升时间
下降时间
导通时间传输延迟
关断时间传输延迟
电源电流
条件
4.5V < V
CC
& LT ; 18V
4.5V < V
CC
& LT ; 18V
0V & LT ; V
IN
& LT ; V
CC
-
-
V
CC
= 18V ,我
OUT
=-10mA
V
CC
= 18V ,我
OUT
=10mA
通过封装功率的限制
耗散
V
CC
= 18V ,C
负载
=1000pF
V
CC
= 18V ,C
负载
=1000pF
V
CC
= 18V ,C
负载
=1000pF
V
CC
= 18V ,C
负载
=1000pF
V
CC
=18V, V
IN
=3.5V
V
CC
=18V, V
IN
=0V
V
CC
=18V, V
IN
=V
CC
符号
V
IH
V
IL
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
DC
t
r
t
f
t
ONDLY
t
OFFDLY
I
CC
最低
3.0
-
-
V
CC
-0.025
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型
-
-
-
-
-
2.5
1.5
-
7.5
6.5
35
38
1
<1
<1
最大
-
0.8
±10
-
0.025
4
3
±1
15
15
60
60
3
10
10
单位
V
μA
V
Ω
A
ns
mA
μA
1.6电气特性:T已
A
= - 40 ° C至+ 125°C
测试条件: 4.5V < V
CC
< 35V ,一个信道(除非另有说明) 。
参数
输入电压,高
输入电压,低
输入电流
输出电压,高
输出电压,低
输出电阻,高国
输出阻抗,低状态
输出电流,连续
上升时间
下降时间
导通时间传输延迟
关断时间传输延迟
电源电流
条件
4.5V < V
CC
& LT ; 18V
4.5V < V
CC
& LT ; 18V
0V & LT ; V
IN
& LT ; V
CC
-
-
V
CC
= 18V ,我
OUT
=-10mA
V
CC
= 18V ,我
OUT
=10mA
通过封装功率的限制
耗散
V
CC
= 18V ,C
负载
=1000pF
V
CC
= 18V ,C
负载
=1000pF
V
CC
= 18V ,C
负载
=1000pF
V
CC
= 18V ,C
负载
=1000pF
V
CC
=18V, V
IN
=3.5V
V
CC
=18V, V
IN
=0V
V
CC
=18V, V
IN
=V
CC
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符号
V
IH
V
IL
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
DC
t
r
t
f
t
ONDLY
t
OFFDLY
I
CC
最低
3.3
-
-10
V
CC
-0.025
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
0.65
10
-
0.025
6
5
±1
18
18
75
75
3.5
150
150
单位
V
μA
V
Ω
A
ns
mA
μA
4
R02