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    2N7002-G 参数 Datasheet PDF下载

    2N7002-G图片预览
    型号： 2N7002-G
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOSFET [MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 4 页 / 180 K
    品牌： COMCHIP [ COMCHIP TECHNOLOGY ]
     浏览型号2N7002-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N7002-G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N7002-G的Datasheet PDF文件第4页  
    MOSFET
    SMD二极管专家
    2N7002-G
    （ N沟道）
    器件符合RoHS
    特点
    耗散功率： 0.35W
    SOT-23
    0.119(3.00)
    0.110(2.80)
    等效电路
    0.056(1.40)
    0.047(1.20)
    D
    D
    G
    S
    0.083(2.10)
    0.066(1.70)
    0.006(0.15)
    0.002(0.05)
    G
    S
    G：门
    S：源
    D：漏
    0.044(1.10)
    0.035(0.90)
    0.103(2.60)
    0.086(2.20)
    最大额定值（当T
    A
    =25°C)
    参数
    漏源电压
    漏电流
    功耗
    结温和存储温度
    符号
    V
    DS
    I
    D
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    价值
    60
    250
    350
    -55 ~ +150
    单位
    V
    mA
    mW
    °C
    0.020(0.50)
    0.013(0.35)
    0.006(0.15)max
    0.007(0.20)min
    尺寸以英寸（毫米）
    电气特性（在T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    门体漏
    零栅极电压漏极电流
    V
    DS
    =60V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    =125°C
    V
    GS
    =10V, V
    DS
    =7.5V
    通态漏电流
    V
    GS
    =4.5V, V
    DS
    =10V
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =250mA
    漏源导通电阻
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    =200mA
    转发TRAN导
    二极管的正向电压
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    V
    DD
    = 30V ，R
    L
    =200Ω
    I
    D
    = 100mA时V
    根
    =10V
    R
    G
    =10Ω
    V
    DS
    =25V, V
    GS
    = 0V ， F = 1MHz的
    V
    DS
    =30V, V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =250mA
    V
    DS
    = 15V ，我
    D
    =200mA
    I
    S
    =的200mA， V
    GS
    =0V
    g
    ts
    V
    SD
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    r
    DS （ ON）
    2.0
    300
    0.85
    0.6
    0.06
    0.06
    25
    6
    1.2
    7.5
    6
    7.5
    20
    20
    nS
    pF
    1.2
    1.0
    nC
    4
    mS
    V
    I
    D（上）
    500
    700
    1.5
    3
    Ω
    条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =10μA
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    =250μA
    V
    DS
    =0V, V
    GS
    =15V
    V
    DS
    =60V, V
    GS
    =0V
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    V
    日（ GS ）
    I
    GSS
    I
    DSS
    民
    60
    1
    典型值
    70
    最大
    单位
    V
    1.5
    2.5
    10
    1
    μA
    nA
    500
    800
    1300
    mA
    REV ： B
    QW-BTR12
    第1页
    COMCHIP科技有限公司。

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