低V
F
肖特基整流桥
COMCHIP
SMD二极管专家
CDBHD120L -G直通1100L -G
反向电压： 20 - 100伏
正向电流： 1.0安培
•
低VF
肖特基势垒芯片桥梁
•金属半导体结与保护环
•高浪涌电流能力
•硅外延平面芯片
•对于使用低电压，高效率逆变器，
续流和极性保护应用
•无铅部分，符合RoHS要求
+
~
特点
–
微型DIP
.106(2.7)
.090(2.3)
~
C .02(0.5)
.043(1.1)
.027(0.7)
~
+
~
–
.031(0.8)
.019(0.5)
.165(4.2)
.150(3.8)
.275(7.0)
马克斯。
机械
数据
•案例：小型DIP桥（ TO- 269AA ）塑胶塑料外壳
•环氧： UL94 -V0额定阻燃
•终端：每MIL -STD- 750方法2026
•极性：对人体标示
•安装位置：任意
•重量： 0.0078盎司， 0.22克
.193(4.90)
.177(4.50)
.067(1.7)
.057(1.3)
.016(0.41)
.006(0.15)
.051(1.3)
.035(0.9)
.106(2.7)
.090(2.3)
.008(0.2)
马克斯。
.114(2.90)
.094(2.40)
单位：英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
CDBHD
-
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
0.2x0.2 “ （ 5.0x5.0mm ）铜焊盘面积，
见图1
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波superimp osed上
额定负荷（ JEDEC我的ThOD ）
120L
20
14
20
140L
40
28
40
160L
60
42
60
180L
80
56
80
1100L
100
70
100
单位
伏
伏
伏
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
1.0
安培
I
FSM
V
F
I
R
30.0
0.44
0.625
0.5
20.0
250
125
安培
0.75
伏
mA
最大正向电压在1.0A （注1 ）
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
典型结电容（注2 ）
典型热阻（注3 ）
工作结温范围
存储温度范围
:
记
1.脉冲测试： 300μS PU LSE无线嗞， 1 ％都TY CY CLE
T
A
=
25°C
T
A
= 100
°C
C
J
R
θJA
R
θJL
T
J
T
英镑
pF
85.0
20.0
-55 ~ +125
-55 ~ +150
° C / W
°C
°C
4.0伏特2.我在1.0MH ž asured的ð AP合股反向武ltage
从结点3热表面耐关环境和交界处领导PCB莫unted在0 2x0.2 “ （ 5.0x5.0mm ）有限公司PPER PA ð AR EAS 。
第1页
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