低V
F
SMD肖特基整流桥
CDBHD220 -G直通。 CDBHD2100 -G
反向电压： 20〜100伏特
正向电流： 2.0安培
器件符合RoHS
特点
-Schottky屏障芯片TO- 269AA桥梁。
- 金属半导体结与保护环。
- 硅外延平面芯片。
- 非常低正向压降降低电压。
在低电压，高效率逆变器，免费使用 - 对于
续流和极性保护应用。
-Lead无零件符合RoHS环保质量要求。
- UL认可文件
#
E321971
~
~
.165(4.2)
.150(3.8)
.008(0.2)
.275(7.0)
最大
.043(1.1)
.193(4.9)
.027(0.7)
~
S
MD
XX
X
-
+
~
TO-269AA
MDS
XXX
+
.031(0.8)
.019(0.5)
机械数据
-Case ： TO- 269AA ，模压塑料。
-Terminals ：每MIL -STD- 750可焊性，
方法2026 。
-Polarity ：标记体。
-Mounting位置：任意。
- 重量： 0.22
克（约） 。
.177(4.5)
.106(2.7)
.090(2.3)
.106(2.7)
.090(2.3)
尺寸以英寸
（毫米）
最大额定值和电气特性
参数
马克斯。反向重复峰值
电压
马克斯。阻断电压DC
马克斯。 RMS电压
马克斯。瞬间向前
电压为2.0A
正向平均整流
当前
2.0X2.0”(5.0x5.0mm)
铜垫，
见图1
在负荷率
（ JEDEC
梭）
条件
符号
CDBHD CDBHD CDBHD CDBHD CDBHD
单位
220-G
240-G
260-G
280-G
2100-G
V
RRM
V
RMS
V
R
V
F
I
AV
I
FSM
20
14
20
0.5
40
28
40
60
42
60
0.70
2.0
50
0.5
80
56
80
0.85
100
70
100
V
V
V
V
A
A
峰值正向浪涌电流
8.3ms
单半正弦波叠加
V
R
=V
RRM
T
A
=25°C
反向电流
V
R
=V
RRM
T
A
=100°C
结到环境
I
R
20
R
θJA
R
θJL
C
J
T
J
T
英镑
-55到+125
-65到+175
85
mA
热阻
交界处领导
° C / W
20
150
-55到+150
pF
°C
°C
二极管的结电容
工作结
温度
Sorage温度
F = 1MHz的和应用
4V
采用直流反接电压
REV ： B
QW-BL011
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COMCHIP科技有限公司。
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