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    APT6030BN 参数 Datasheet PDF下载

    APT6030BN图片预览
    型号： APT6030BN
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型高压功率MOSFET晶体管 [N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲高压局域网高电压电源
    文件页数/大小： 4 页 / 123 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号APT6030BN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号APT6030BN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号APT6030BN的Datasheet PDF文件第4页  
    SEMICONDUCTORS
    APT6030BN
    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE
    POWER MOSFETS TRANSISTORS
    FEATURE
    N channel in a plastic TO-3PML package.
    Compliance to RoHS.
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
    Symbol
    V
    DS
    I
    DS
    I
    DM
    V
    GS
    R
    DS(on)
    P
    T
    t
    J
    t
    stg
    Ratings
    Drain-Source Voltage
    Continuous Drain Current T
    C
    = 37°C
    Pulsed Drain Current T
    C
    = 25°C
    Gate-Source Voltage
    Drain-Source on Resistance
    Total Power Dissipation @ T
    C
    = 25°C
    Linear Derating Factor
    Operating Temperature
    Storage Temperature range
    Value
    600
    23
    92
    30
    0.30
    360
    2.9
    -55 to +150
    -55 to +150
    Unit
    V
    A
    V
    Ω
    W
    W/°C
    °C
    THERMAL CHARACTERISTICS
    Symbol
    R
    thJC
    R
    thJA
    Ratings
    Thermal Resistance, junction-case
    Thermal Resistance, junction-ambient
    Value
    0.34
    40
    Unit
    °C/W
    22/10/2012
    COMSET SEMICONDUCTORS
    1/4

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