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    BD130_12 参数 Datasheet PDF下载

    BD130_12图片预览
    型号： BD130_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅晶体管HOMOBASE [SILICON TRANSISTOR HOMOBASE]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 75 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BD130_12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD130_12的Datasheet PDF文件第3页  
    NPN BD130
    SILICON TRANSISTOR HOMOBASE
    LF Large signal power amplification
    High current switching
    Regulated DC power supply
    Compliance to RoHS.
    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
    Symbol
    V
    CEO
    V
    CBO
    V
    CEX
    I
    C
    I
    B
    P
    T
    T
    J
    T
    S
    Collector-Emitter Voltage
    Collector-Base Voltage
    Collector-Emitter Voltage
    Collector Current
    Base Current
    Power Dissipation
    Junction Temperature
    Storage Temperature
    Ratings
    Value
    60
    100
    100
    15
    7
    100
    -55 to +200
    Unit
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    °C
    V
    BE
    =-1.5 V
    @ T
    C
    = 45°
    THERMAL CHARACTERISTICS
    Symbol
    R
    thJ-C
    Ratings
    Thermal Resistance, Junction to Case
    Value
    1.55
    Unit
    °C/W
    15/11/2012
    COMSET SEMICONDUCTORS
    1|3

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