181T2 参数 Datasheet PDF下载

型号：	181T2
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内容描述：	NPN硅晶体管， DIFFUSED MESA [NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 239 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

BDY23 ， 180 T2

BDY24 ， 181 T2

BDY25 ， 182 T2

热特性

符号

THJ -C

评级

热阻，结到外壳

BDY23 ， 180T2

BDY24 ， 181T2

BDY25 ， 182T2

价值

单位

° C / W

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

评级

集电极 - 发射极

击穿电压（ * ）

测试条件（S ）

BDY23 ， 180T2

最小典型单位的Mx

140

100

200

1.0

CEO （ BR ）

= 50 mA时，我

BDY24 ， 181T2

BDY25 ， 182T2

（ BR ） CBO

集电极 - 基极击穿

电压（*）

集电极 - 发射极截止

当前

BDY23 ， 180T2

-3毫安

=60 V

=90 V

=140 V

BDY24 ， 181T2

BDY25 ， 182T2

BDY23

BDY24

BDY25

BDY23 ， 180T2

BDY24 ， 181T2

BDY25 ， 182T2

BDY23 ， 180T2

BDY24 ， 181T2

BDY25 ， 182T2

BDY23 ， 180T2

BDY24 ， 181T2

BDY25 ， 182T2

首席执行官

EBO

发射基截止电流

=10 V

=60 V

=0 V

1.0

0.5

1.0

0.6

CES

集电极 - 发射极截止

当前

=100 V

=0 V

=180 V

=0 V

CE （ SAT ）

集电极 - 发射极饱和

电压（*）

= 2.0 A，I

=0.25 A

半导体COMSET

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