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    2N3019 参数 Datasheet PDF下载

    2N3019图片预览
    型号： 2N3019
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅平面外延晶体管 [SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管开关局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 92 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N3019的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N3019的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N3019的Datasheet PDF文件第4页  
    NPN 2N3019 - 2N3020
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    f
    T
    评级
    跃迁频率
    测试条件（S ）
    I
    C
    -50毫安
    V
    CE
    =10 V
    F = 20MHz的
    I
    C
    = 1毫安
    V
    CE
    =5 V
    F = 1千赫
    I
    C
    =-100 µA
    V
    CE
    =10 V
    F = 1千赫
    R
    g
    = 1kΩ
    I
    E
    = 0
    V
    CB
    =10 V
    F = 1 MHz的
    I
    C
    = 0
    V
    EB
    =0.5 V
    F = 1 MHz的
    I
    C
    = 10毫安
    V
    CE
    =10 V
    F = 4兆赫
    2N3019
    2N3020
    2N3019
    2N3020
    2N3019
    2N3019
    民
    100
    80
    80
    30
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    -
    -
    400
    单位
    兆赫
    h
    fe
    小信号电流增益
    -
    200
    4
    dB
    NF
    噪声系数
    C
    CBO
    集电极 - 基极电容
    -
    2N3020
    2N3019
    2N3020
    2N3019
    -
    2N3020
    -
    -
    12
    pF
    C
    EBO
    发射极 - 基极电容
    -
    60
    pF
    r
    bb’
    C
    B 4 C
    反馈时间常数
    -
    400
    ps
    （ * ）脉冲条件： TP < 300
    µs, δ
    =2%
    16/10/2012
    半导体COMSET
    3/4

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