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2N3054 参数 Datasheet PDF下载

2N3054图片预览
型号: 2N3054
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内容描述: 硅功率晶体管 [SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管开关局域网
文件页数/大小: 2 页 / 109 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2N3054的Datasheet PDF文件第2页  
NPN 2N3054
硅功率晶体管
的2N3054是NPN晶体管安装在TO- 66金属封装,其集电极
连接到所述壳体。
它们设计用于通用开关和放大器应用。
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
D
T
J
T
英镑
评级
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
总功耗
结温
存储温度范围
价值
55
90
7
4
10
2
25
200
-65到+200
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
@ T
= 25°
热特性
符号
R
THJ -C
评级
热阻,结案件
价值
7
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
首席执行官
I
EBO
I
CEV
V
首席执行官
(*)
h
FE
(*)
V
CE ( SAT )
(*)
V
BE
f
T
评级
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极截止电流
集电极发射极击穿
电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极电压
跃迁频率
测试条件(S )
-
-
-
-
55
40
8
-
-
-
500
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
0.5
1
1
6
-
-
80
1
6
1.7
-
单位
mA
V
CE
= 30 V,I
B
= 0
V
EB
= 7V ,我
C
= 0
V
CE
= 90V牛逼
C
= 25°C
V
BE
= 1.5V牛逼
C
= 150°C
I
C
= 0.1毫安,我
B
=0
I
C
= 100毫安, V
CE
= 10 V
I
C
= 1 A,V
CE
= 2 V
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
= 3 A,I
B
= 1 A
I
C
= 500毫安, V
CE
= 4 V
I
C
= 200毫安, V
CE
=10 V
F = 1 MHz的
V
-
V
V
兆赫
( * )脉冲条件: TP < 300
µs, δ
=2%.
半导体COMSET
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