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2N3227_12 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N3227_12
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内容描述: 环形硅晶体管 [SILICON ANNULAR TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 68 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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NPN 2N3227
环形硅晶体管
该2N3227为硅NPN硅晶体管的环形低电流,高速开关
应用程序。
它们被安装在JEDEC的TO -18金属。
符合RoHS指令
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
CES
I
C(峰值)
P
D
评级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
器件总功耗
环境温度
降额Factore以上
器件总功耗
外壳温度
降额Factore以上
结温
存储温度范围
价值
40
20
6
40
500
单位
V
V
V
V
mA
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
@ T
C
= 25°
0.36
2.06
P
D
T
J
T
英镑
@ T
C
= 25°
1.2
6.85
+200
-65到+200
16/10/2012
半导体COMSET
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