2N3636 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N3636
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内容描述：	硅平面RF晶体管 [SILICON PLANAR RF TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管局域网
文件页数/大小：	3 页 / 77 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

PNP 2N3636 - 2N3637

硅平面RF晶体管

该2N3636和2N3637是PNP晶体管安装在TO- 39金属外壳。

它们适用于高压开关和低功耗的放大器。

符合RoHS指令

绝对最大额定值

符号

首席执行官

CBO

EBO

评级

集电极 - 发射极电压（I

= 0)

集电极 - 基极电压（I

= 0)

发射极 - 基极电压（I

= 0)

集电极电流

AMB

= 25°C

价值

-175

-5

-1

单位

总功耗

例

= 25°C

200

-65到+200

-65到+150

英镑

AMB

结温

°C

存储温度范围

工作环境温度

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

CBO

EBO

首席执行官

CBO

EBO

评级

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极发射极

击穿电压

(*)

集电极和基

击穿电压

发射基地

击穿电压

测试条件（S ）

= -100 V，I

= -3 V，I

= -10毫安，我

= -100 IA ，我

= -10毫安，我

半导体COMSET

民

-175

-5

典型值

最大

-100

-50

单位

1/3

21/09/2012

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