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    2N3773 参数 Datasheet PDF下载

    2N3773图片预览
    型号： 2N3773
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 大功率晶体管 [HIGH POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网高功率电源
    文件页数/大小： 2 页 / 76 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N3773的Datasheet PDF文件第2页  
    NPN 2N3773
    大功率晶体管
    该2N3773是JEDEC的TO - 3金属外壳硅平面NPN晶体管。
    它们用于线性放大器和电感式开关的应用程序。
    符合RoHS指令。
    绝对最大额定值
    符号
    V
    首席执行官
    V
    CBO
    V
    EBO
    V
    CEX
    I
    C
    I
    CM
    I
    B
    I
    BM
    P
    t
    T
    J
    T
    英镑
    集电极 - 发射极电压
    集电极 - 基极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    集电极电流
    集电极电流峰值
    基极电流
    基峰电流
    总功耗
    结温
    储存温度
    评级
    I
    B
    = 0
    I
    E
    = 0
    I
    C
    = 0
    V
    BE
    = -1.5V
    价值
    140
    160
    7
    160
    16
    30
    4
    15
    150
    150
    -65到+200
    单位
    V
    V
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    W
    °C
    °C
    @ T
    C
    = 25°
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    V
    CEO （ SUS ）
    I
    首席执行官
    I
    CEX
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    I
    S / B
    评级
    集电极 - 发射极可持续
    电压（*）
    收藏家Cuto FF电流
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益（ * ）
    集电极 - 发射极饱和
    电压（*）
    基射极电压（ * ）
    第二击穿集电极
    当前
    测试条件（S ）
    民
    140
    -
    -
    -
    -
    15
    5
    -
    -
    -
    1.5
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    -
    2
    2
    单位
    V
    mA
    mA
    I
    C
    = 200毫安，我
    B
    = 0
    V
    CE
    = 140 V，I
    B
    = 0
    V
    CE
    = 140 V, V
    BE
    = -1.5V
    V
    CE
    = 140 V
    ,
    V
    BE
    = -1.5V
    T
    例
    = 150°C
    V
    EB
    = 7 V，I
    C
    = 0
    I
    C
    = 8 A，V
    CE
    = 4 V
    I
    C
    = 16 A，V
    CE
    = 4 V
    I
    C
    = 8 A，I
    B
    = 800毫安
    I
    C
    = 16 A，I
    B
    = 3.2 A
    I
    C
    = 8 A，V
    CE
    = 4 V
    V
    CE
    = 100 V，T
    s
    = 1s
    10
    5
    60
    -
    1.4
    4
    2.2
    -
    mA
    -
    V
    V
    A
    （ * ）脉冲宽度= 300
    µs,
    占空比< = 2 ％
    21/09/2012
    半导体COMSET
    1/2

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