2N3866 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N3866
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内容描述：	硅平面外延晶体管 [SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管局域网
文件页数/大小：	2 页 / 98 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

NPN 2N3866

硅平面外延晶体管

的2N3866是NPN晶体管安装在TO-39金属封装，其集电极

连接到所述壳体。

它们用于VHF - UHF A类， B或C放大器电路和振荡器的应用。

符合RoHS指令。

绝对最大额定值

符号

首席执行官

CES

EBO

英镑

评级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 发射极电压（V

= 0)

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

@ T

例

= 25°

结温

存储温度范围

价值

3.5

0.5

200

-65到+200

单位

瓦

°C

热特性

符号

THJ -C

评级

热阻，结案件

价值

单位

° C / W

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

首席执行官

(*)

CES

EBO

(*)

CE （ SAT ）

(*)

评级

收藏家Cuto FF电流

集电极发射极可持续

电压

集电极基极击穿电压

发射极基极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和

电压

测试条件（S ）

民

3.5

典型值

最大

200

单位

µA

= 28 V，I

= 5毫安，我

= 100 μA ，V

= 100 μA ，我

= 50 mA时， V

=5 V

= 360毫安， V

=5 V

-100毫安

= 20毫安

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