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    2N6371 参数 Datasheet PDF下载

    2N6371图片预览
    型号： 2N6371
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高功率硅NPN晶体管 [HIGH POWER SILICON NPN TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网高功率电源
    文件页数/大小： 4 页 / 201 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2N6371的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N6371的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N6371的Datasheet PDF文件第4页  
    2N6253 - 2N6254 - 2N6371
    符号
    评级
    测试条件（S ）
    V
    CE
    =40 V
    V
    BE
    =-1.5 V
    最小典型单位的Mx
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    45
    80
    40
    55
    85
    45
    55
    90
    50
    -
    -
    -
    20
    3
    20
    5
    15
    4
    10
    -
    -
    800
    2.55
    1.87
    2.9
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2N6371
    2N6253
    2N6254
    2N6371
    2N6253
    2N6254
    2N6253
    2N6254
    2N6371
    2N6253
    2N6254
    2N6371
    2N6253
    2N6254
    2N6371
    2N6253
    2N6254
    2N6371
    2N6253
    2N6254
    2N6371
    2N6253
    2N6254
    2N6371
    2N6253
    2N6254
    2N6371
    2N6253
    2N6254
    2N6371
    10
    10
    5.0
    2.0
    2.0
    0.5
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.7
    1.5
    4
    70
    -
    70
    -
    60
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    V
    mA
    T
    C
    =150°C
    V
    CE
    =50 V
    V
    BE
    =-1.5 V
    V
    CE
    =100 V
    V
    BE
    =1.5 V
    I
    CEX
    收藏家Cuto FF电流
    V
    CE
    =45 V
    V
    BE
    =-1.5 V
    T
    C
    =25°C
    V
    CE
    =55 V
    V
    BE
    =-1.5 V
    V
    CE
    =100 V
    V
    BE
    =1.5 V
    V
    CEO （ SUS ）
    集电极 - 发射极可持续
    I
    C
    = 0.2 A，I
    B
    =0 A
    电压（*）
    集电极 - 发射极可持续
    电压（*）
    I
    C
    -0.2毫安
    R
    BE
    =100Ω
    基射极电压（ * ）
    I
    C
    = 0.1 A，V
    BE
    =-1.5
    V
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    =3 A
    V
    CE
    = 2 V，I
    C
    =5 A
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    =16 A
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    =3 A
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    =15 A
    V
    CE
    = 2 V，I
    C
    =5 A
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    =15 A
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    =8 A
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    =16 A
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    =1 A,
    F = 1千赫
    V
    V
    CER （ SUS）
    V
    CEV （ SUS ）
    V
    BE
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    V
    基射极电压（ * ）
    V
    h
    FE
    静态正向电流
    传输比（ * ）
    -
    h
    fe
    小信号电流增益
    -
    f
    T
    I
    S / B
    跃迁频率
    第二击穿
    集电极电流
    TP = 1秒，非代表。
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    =1 A
    V
    CE
    =45 V
    V
    CE
    =40 V
    千赫
    A
    （ * ）脉冲宽度
    ≈
    300
    µs,
    占空比
    ∠
    2.0%
    半导体COMSET
    3/4

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