NPN BC140 / 10 - BC140 / 16
NPN BC141 / 10 - BC141 / 16
符号
I
CES
V
CB0
V
CE0
(*)
V
EB0
V
CE （ SAT ）
(*)
评级
集电极 - 截止电流
测试条件（S ）
I
E
= 0 ;V
CES
= 60 V
I
E
= 0 ; V
CES
= 60 V
民
-
-
80
100
40
60
7
-
-
-
-
-
-
40
63
100
-
-
-
50
-
-
-
典型的Mx单位
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.35
0.6
1.25
75
40
90
140
100
160
26
20
30
-
12
-
-
100
100
-
-
-
-
-
nA
µA
V
V
V
T
AMB
= 150°c
集电极 - 基极击穿我
C
= 100 µA
I
E
= 0
电压
集电极 - 发射极
I
C
= 30毫安
I
B
= 0
击穿电压
发射极 - 基极击穿
I
E
= 100 µA
I
C
= 0
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极电压
I
C
= 100毫安，我
B
= 10毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 1 A，I
B
= 100毫安
I
C
= 1 A，V
CE
= 1V
I
C
= 100 μA ，V
CE
= 1 V
BC140
BC141
BC140
BC141
BC140
BC141
BC140
BC141
BC140
BC141
V
BE
(*)
10克
16克
10克
16克
10克
16克
h
FE
(*)
直流电流增益
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1 V
I
C
= 1 A，V
CE
= 1 V
f
T
C
CBO
t
关闭
t
on
跃迁频率
集电极 - 基
电容
关断时间
导通时间
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 10 V
I
E
= 0 ;V
CB
= 10V
F = 1 MH
Z
I
C
-100毫安
I
B1
=-I
B2
± 5毫安
I
C
-100毫安
I
B1
= 1毫安
1
1.8
-
-
-
250
160
250
-
-
-
-
25
850
250
V
-
MH
Z
pF
ns
ns
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 1 ％
半导体COMSET
2/3
COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
