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BCY71 参数 Datasheet PDF下载

BCY71图片预览

型号：	BCY71
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	硅平面外延晶体管 [SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管局域网
文件页数/大小：	4 页 / 150 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

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PNP BCY70 - BCY71 - BCY72

电气特性

TJ = 25 ° C除非另有说明

符号

I

CES

评级

集电极截止

当前

测试条件（S ）

V

CB

= -20 V, V

BE

= 0 V

V

CB

= -50 V

V

BE

= 0 V ，T

j

= 150 °C

V

CB

= -45 V

V

BE

= 0V ，T

j

= 150 °C

V

CB

= -25 V

V

BE

= 0 V ，T

j

= 150 °C

V

BE

= -5.0 V，I

C

= 0

BCY70

BCY71

BCY72

BCY70

BCY71

BCY72

BCY70

BCY71

BCY72

BCY70

BCY71

BCY72

BCY70

BCY71

BCY72

BCY70

BCY71

BCY72

BCY70

BCY71

BCY78

民

-

-

-

-

-

-

-

典型值

-

-

-

-

-

-

-

最大

-10

-100

-100

-0.5

-10

-10

-500

单位

nA

I

CES

集电极截止

当前

µA

I

EBO

发射极截止

当前

nA

I

C

= -10毫安，我

B

= -1毫安

V

CE （ SAT ）

集电极 - 发射极

饱和电压

I

C

= -50毫安，我

B

= -5毫安

-

-

-0.25

-

-

-0.5

V

I

C

= -10毫安，我

B

= -1毫安

V

BE （ SAT ）

基射

饱和电压

I

C

= -50毫安，我

B

= -5毫安

BCY70

民

-0.6

-

-0.9

-

-

-1.2

BCY71

民

最大

BCY72

单位

最大

民

最大

h

FE

直流电流增益

I

C

= -0.1mA

V

CE

= -1 V

I

C

= -1毫安

V

CE

= -1 V

I

C

= -10毫安

V

CE

= -1 V

I

C

= -50毫安

V

CE

= -1 V

40

45

50

15

-

-

-

-

80

90

100

15

-

-

40

-

-

-

-

-

600

-

50

-

16/11/2012

半导体COMSET

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