BD132_12 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BD132_12
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内容描述：	硅平面外延功率晶体管 [SILICON PLANAR EPITAXIAL POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管局域网
文件页数/大小：	2 页 / 63 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

PNP BD132

硅平面外延功率晶体管

该BD132是安装在JEDEC的TO -126塑料封装PNP晶体管。

中等功率应用。

PNP互补是BD131

符合RoHS指令。

绝对最大额定值

符号

-V

首席执行官

-V

CBO

-V

EBO

英镑

评级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流（峰值）

逆基极电流（峰值）

总功耗

结温

储存温度

-I

@ T

= 60°C

价值

0.5

150

-65到+150

单位

瓦

°C

热特性

符号

THJ - MB

评级

热阻，结到mouting基地

价值

单位

K / W

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

-I

CBO

-I

EBO

-V

CE （ SAT ）

-V

BE （ SAT ）

评级

集电极截止电流

测试条件（S ）

民

典型值

最大

500

0.3

1.2

0.7

1,5

单位

µA

=0 , -V

=40 V

=0 , -V

= 40 V ，T

= 150°C

发射极截止offcurrent

=0, -V

=3 V

集电极 - 发射极饱和-I

= 0.5 A ， -I

-50毫安

电压

-I

= 2.0 A ， -I

± 200毫安

-I

= 0.5 A ， -I

-50毫安

基射极饱和

电压

-I

= 2.0 A ， -I

± 200毫安

-V

= 12 V ， -I

= 5亿

直流电流增益

-V

= 1 V ， -I

=2 A

18/10/2012

半导体COMSET

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