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BD142_12 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BD142_12
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内容描述: NPN硅晶体管功率LINERAR和交换应用 [NPN SILICON TRANSISTOR POWER LINERAR AND SWITCHING APPLICATIONS]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 2 页 / 75 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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BD142
NPN硅晶体管
电源LINERAR和交换应用
LF大信号功率放大
低饱和电压
高额定功耗
用于各种各样的中间功率的应用。
它特别适用于在音频和逆变器电路用在12伏。
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
CEX
I
C
I
B
P
T
T
J
T
S
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
基极电流
功耗
结温
储存温度
评级
价值
45
50
7
50
15
7
117
-65到+200
单位
V
V
V
V
A
A
°C
V
BE
=-1.5 V
@ T
C
= 25°
热特性
符号
R
THJ -C
评级
热阻,结到外壳
价值
1.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
CEO ( BR )
V
CEX ( BR )
V
CE ( SAT )
I
CEX
I
EBO
V
BE
I
S / B
h
FE
评级
集电极 - 发射极击穿电压( * )
集电极 - 发射极击穿电压( * )
集电极 - 发射极饱和电压( * )
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
基射极电压( * )
第二击穿集电极电流
静态正向电流传输比( * )
测试条件(S )
I
C
= 200毫安,我
B
=0
I
C
= 100毫安, V
BE
=-1.5 V
I
C
= 4 A,I
B
=0.4 A
V
CE
= 40 V, V
BE
=-1.5 V
V
EB
=7 V
I
C
= 4.0 A,V
CE
=4.0V
T = 1秒,V
CE
=39 V
V
CE
= 4.0 V,I
C
=4.0 A
V
CE
= 4.0 V,I
C
=0.5 A
45
50
-
-
-
-
3
12.5
20
典型值
最大
单位
V
V
V
mA
mA
V
A
-
-
-
-
-
-
-
-
1.1
2
1
1.5
-
160
-
1/2
( * )脉冲宽度
300
µs,
占空比
2.0%
18/10/2012
半导体COMSET