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    BD242A 参数 Datasheet PDF下载

    BD242A图片预览
    型号： BD242A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 中功率线性和开关应用 [MEDIUM POWER LINEAR AND SWITCHING APPLICATIONS]
    分类和应用： 开关
    文件页数/大小： 3 页 / 104 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BD242A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BD242A的Datasheet PDF文件第3页  
    PNP BD242 - A - B - C
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    评级
    收藏家Cuto FF电流
    测试条件（S ）
    V
    CE
    =-30 V
    V
    CE
    =-30 V
    V
    CE
    =-60 V
    V
    CE
    =-60 V
    V
    BE
    =-5 V
    V
    CE
    =-55 V
    V
    CE
    =-70 V
    V
    CE
    =-90 V
    V
    CE
    =-115 V
    BD242
    BD242A
    BD242B
    BD242C
    BD242
    BD242A
    BD242B
    BD242C
    BD242
    BD242A
    BD242B
    BD242C
    BD242
    BD242A
    BD242B
    BD242C
    BD242
    BD242A
    BD242B
    BD242C
    BD242
    BD242A
    BD242B
    BD242C
    BD242
    BD242A
    BD242B
    BD242C
    BD242
    BD242A
    BD242B
    BD242C
    BD242
    BD242A
    BD242B
    BD242C
    BD242
    BD242A
    BD242B
    BD242C
    民
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -45
    -60
    -80
    -100
    25
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    单位
    I
    首席执行官
    -0.3
    mA
    I
    EBO
    发射Cuto FF电流
    -1.0
    mA
    I
    CES
    收藏家Cuto FF电流
    (V
    BE
    = 0)
    -0.2
    mA
    V
    CEO （ SUS ）
    集电极 - 发射极可持续
    I
    C
    =-30mA
    电压（I
    B
    = 0) (*)
    V
    V
    CE
    =-4 V
    I
    C
    =-1 A
    h
    FE
    直流电流增益（ * ）
    V
    CE
    =-4 V
    I
    C
    =-3 A
    集电极 - 发射极饱和
    电压（*）
    -
    -
    -
    10
    -
    -
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    =-3 A
    I
    B
    =-0.6 A
    -
    -
    -1.2
    V
    V
    BE（上）
    基射极电压（ * ）
    V
    CE
    =-4 V
    I
    C
    =-3 A
    V
    CE
    =-10 V
    I
    C
    =-0.5 A
    F = 1kHz时
    -
    -
    -1.8
    V
    20
    -
    -
    h
    fe
    小信号电流增益
    V
    CE
    =-10 V
    I
    C
    =-0.5 A
    F = 1MHz的
    （ * ）脉冲宽度
    ≈
    300
    µs,
    占空比
    ∠
    2.0%
    3
    -
    -
    -
    23/10/2012
    半导体COMSET
    2/3

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