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    BD245 参数 Datasheet PDF下载

    BD245图片预览
    型号： BD245
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN单扩散MESA硅功率晶体管 [NPN SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 75 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BD245的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BD245的Datasheet PDF文件第3页  
    BD245 - A - B - C
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    评级
    V
    CE
    V
    CE
    V
    CE
    V
    CE
    测试条件（S ）
    = 55 V , V
    BE
    = 0
    = 70 V , V
    BE
    = 0
    = 90 V , V
    BE
    = 0
    = 115 V , V
    BE
    = 0
    BD245
    BD245A
    BD245B
    BD245C
    BD245
    BD245A
    BD245B
    BD245C
    BD245
    BD245A
    BD245B
    BD245C
    民
    典型值
    最大
    单位
    I
    CES
    集电极 - 发射
    截止电流
    -
    -
    0.4
    mA
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    V
    首席执行官
    集电极截止
    当前
    V
    CE
    = 30 V，I
    B
    = 0
    V
    CE
    = 60 V，I
    B
    = 0
    -
    -
    45
    60
    80
    100
    40
    20
    4
    -
    -
    -
    -
    20
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.7
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    4
    1.6
    3
    -
    mA
    mA
    V
    发射极截止电流V
    E B
    = 5 V，I
    C
    = 0
    集电极 - 发射
    我= 30 mA时，我
    B
    = 0
    击穿电压（ * ）
    C
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    = 1 A
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    = 3 A
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    = 10 A
    I
    C
    = 3 A，I
    B
    = 300毫安
    I
    C
    = 10 A，I
    B
    = 2.5 A
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    = 3 A
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    = 10 A
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 500毫安
    F = 1MHz的
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 500 m
    AF = 1MHz的
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    h
    fe
    |h
    fe
    |
    直流电流增益（ * ）
    集电极 - 发射极
    饱和电压（ * ）
    基射
    电压（*）
    小信号转发
    电流传输比
    小信号转发
    电流传输比
    -
    V
    V
    -
    -
    （ * ）脉冲宽度
    ≈
    300
    µs,
    占空比
    ∠
    2.0%
    在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
    符号
    t
    on
    t
    关闭
    评级
    开启时间
    打开-O FF时间
    测试条件（S ）
    I
    C
    = 1 A，I
    B（上）
    = 100毫安，
    I
    B（关闭）
    = -100毫安
    V
    BE （OFF）的
    = -3.7 V ，R
    L
    = 20
    Ω
    t
    p
    = 20 µs
    dc
    ＆ LT ;
    2%
    民
    -
    -
    典型值
    0.3
    1
    最大
    -
    单位
    µs
    -
    22/10/2012
    半导体COMSET
    2/3

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