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BD246C 参数 Datasheet PDF下载

BD246C图片预览
型号: BD246C
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内容描述: PNP单扩散MESA硅功率晶体管 [PNP SINGLE-DIFFUSED MESA SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 75 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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BD246 , A,B ,C
PNP单扩散MESA广颖电
晶体管
该BD246系列是PNP功率晶体管在TO3PN信封。
它们的功率晶体管进行功率放大和高速开关应用。
互补是BD245 , A,B ,C
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
评级
集电极 - 发射极电压(I
C
= -30mA )
BD246
BD246A
BD246B
BD246C
BD246
BD246A
BD246B
BD246C
I
C
I
CM
T
mb
= 25° C
价值
-45
-60
-80
-100
-55
-70
-90
-115
-5.0
-10
-15
-3
80
-65到+150
-65到+150
单位
V
V
CER
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
J
T
S
集电极 - 发射极电压(R
BE
= 100
Ω)
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
功耗
结温
储存温度
V
V
A
A
°C
热特性
符号
R
thJC
R
thJA
评级
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
价值
1.56
42
单位
C / W
C / W
25/09/2012
半导体COMSET
1/3