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BD436 参数 Datasheet PDF下载

BD436图片预览

型号：	BD436
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	硅PNP功率晶体管 [SILICON PNP POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 74 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

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浏览型号BD436的Datasheet PDF文件第3页

BD434 - BD436 - BD438

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

评级

集电极截止

当前

集电极截止

当前

发射极截止offcurrent

集电极 - 发射极

sustaning电压（ *）

集电极 - 发射极

饱和电压（ * ）

基射

电压（*）

测试条件（S ）

I

E

= 0, V

CB

= -22 V

I

E

= 0, V

CB

= -32 V

I

E

= 0, V

CB

= -45 V

V

BE

= 0, V

CE

= -22 V

V

BE

= 0, V

CE

= -32 V

V

BE

= 0, V

CE

= -45 V

I

C

= 0

V

EB

= -5 V

I

B

= 0

I

C

= -100毫安

I

C

= -2 A

I

B

= -200毫安

I

C

= -2 A

V

CE

= -1 V

I

C

= -10毫安

V

CE

= -5 V

BD434

BD436

BD438

BD434

BD436

BD438

BD434

BD436

BD438

BD434

BD436

BD438

BD434

BD436

BD438

BD434

BD436

BD438

BD434

BD436

BD438

BD434

BD436

BD438

BD434

BD436

BD438

BD434

BD436

BD438

民

典型值

最大

单位

I

CBO

-

-

-100

µA

I

CES

-

-

-100

I

EBO

-

-22

-32

-45

-

-

-

-

-

-

-1

-

-

-

-0.5

-0.6

mA

V

CEO （ SUS ）

V

V

CE （ SAT ）

V

V

BE

-

-

-1.1

-1.2

V

40

30

85

50

40

3

-

-

-

-

-

-

130

130

140

-

-

-

兆赫

-

h

FE

直流电流增益（ * ）

I

C

= -500毫安

V

CE

= -1 V

I

C

= -2 A

V

CE

= -1 V

f

T

1.

跃迁频率

I

C

= -250毫安

V

CE

= -1 V

脉冲的条件下测得的：

t

P

<300µs,

δ

<1.5

25/09/2012

27/08/2012

半导体COMSET

2|3

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