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BD646 参数 Datasheet PDF下载

BD646图片预览
型号: BD646
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内容描述: 硅达林顿功率晶体管 [SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 365 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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半导体
BD644/646/648/650/652
符号
评级
BD644
BD646
-I
C
= 4 A, -V
CE
=3 V
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
-I
C
= 3 A, -V
CE
=3 V
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
-V
CE
= 3.0 V, -I
C
=0.5 A
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
-V
CE
= 3.0 V, -I
C
=4 A
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
-V
CE
= 3.0 V, -I
C
=3 A
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
-V
CE
= 3.0 V, -I
C
=8 A
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
-V
CE
= 3.0 V, -I
C
= 4 A, F = 1MHz的
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
-V
CE
= 3.0 V, -I
C
= 3 A, F = 1MHz的
BD648
BD650
BD652
-I
C
= 3 A, -I
BON
= I
B关
= 12毫安
价值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
750
-
-
-
-
-
750
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
10
10
10
10
-
-
单位
2.5
-
-
-
-
-
2.5
2.5
2.5
2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-V
BE
基射极电压( * )
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
2700
h
FE
直流电流增益( * )
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
200
h
fe
小信号电流增益
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
所有类型
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
5
µs
µs
( * )脉冲宽度
300
µs,
占空比
2.0%
第4 5