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BDT88 参数 Datasheet PDF下载

BDT88图片预览
型号: BDT88
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内容描述: 硅功率晶体管 [SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 151 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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PNP BDT82 - BDT84 - BDT86 - BDT88
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件(S )
I
E
= 0A ,V
CB
= -60 V
I
E
= 0A ,V
CB
= -80 V
I
E
= 0A ,V
CB
= -100 V
I
E
= 0A ,V
CB
= -120 V
V
BE
=0, V
CE
= -60V
V
BE
=0, V
CE
= -80V
V
BE
=0, V
CE
= -100V
V
BE
=0, V
CE
= -120V
V
EB
= -7 V
I
C
=0
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
BDT82
BDT84
BDT86
BDT88
典型值
最大
单位
I
CB0
收藏家Cuto FF电流
-
-
-0.2
mA
I
CES
收藏家Cuto FF电流
-
-
-1
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
-
-
-0.1
mA
I
C
= -50mA
V
CE
= -10V
h
FE
直流电流增益( * )
I
C
= -5A
V
CE
= -4V
40
-
-
-
40
-
-
I
C
= -5A
I
B
= -0.5A
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极
饱和电压( * )
I
C
= -5A
I
B
= -0.5A
-
-
-1
V
-
-
-1.6
V
BE
基射极电压( * )
I
C
= -7A
I
B
= -0.7A
-
-
-1.5
V
09/11/2012
 
半导体COMSET
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