BDV67D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BDV67D
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内容描述：	NPN硅DARLINGTONS功率晶体管 [NPN SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 237 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

BDV67A ， B，C ，D

单位

符号

评级

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和

电压（*）

测试条件（S ）

= 3 V，I

=1 A

= 3 V，I

=10 A

= 3 V，I

=16 A

= 10 A，I

= 40毫安

民

1000

典型值

3000

1000

CE （ SAT ）

基射极电压（ 1&2 ）

= 3 V，I

=10 A

二极管的正向电压

=10 A

= 0 ，V

=10V

开关时间

= 12V，我

=-10 A

=-I

=0.04 A

关闭

的hFE

= -3 V，I

=-5 A

BDV67A

BDV67B

BDV67C

BDV67D

BDV67A

BDV67B

BDV67C

BDV67D

BDV67A

BDV67B

BDV67C

BDV67D

BDV67A

BDV67B

BDV67C

BDV67D

BDV67A

BDV67B

BDV67C

BDV67D

BDV67A

BDV67B

BDV67C

BDV67D

BDV67A

BDV67B

BDV67C

BDV67D

2,5

300

µs

3.5

千赫

（ * ）脉冲宽度

≈

300

µs,

占空比

∠

2.0%

（ 1 ）集电极 - 发射极电压限制等V

CECI

= V

额定通过辅助电路

半导体COMSET

3/5

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