NPN BDW83 ， BDW83A ， BDW83B ，
BDW83C ， BDW83D ，
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件（S ）
BDW83
BDW83A
I
C
= 30毫安
BDW83B
I
B
=0
BDW83C
BDW83D
BDW83
I
B
=0, V
CE
=30 V
I
B
=0, V
CE
=30 V
BDW83A
I
B
=0, V
CE
=40 V
BDW83B
I
B
=0, V
CE
=50 V
BDW83C
I
B
=0, V
CE
=60 V
BDW83D
I
E
= 0, V
CB
=45 V
BDW83
I
E
= 0, V
CB
=60 V
BDW83A
I
E
= 0, V
CB
=80 V
BDW83B
I
E
= 0, V
CB
= 100 V BDW83C
I
E
= 0, V
CB
= 120 V BDW83D
I
E
= 0, V
CB
=45 V
BDW83
T
例
= 150°C
I
E
= 0, V
CB
=60 V
BDW83A
T
例
= 150°C
I
E
= 0, V
CB
=80 V
BDW83B
T
例
= 150°C
I
E
= 0, V
CB
=100 V
BDW83C
T
例
= 150°C
I
E
= 0, V
CB
=120 V
BDW83D
T
例
= 150°C
V
EB
= 5.0 V，I
C
=0
I
C
= 6 A，V
CE
=3.0 V
I
C
= 15 A，V
CE
=3.0 V
I
C
= 6 A，I
B
= 12毫安
I
C
= 15 A，I
B
-150毫安
I
C
= 6 A，I
B
=3 A
I
E
= 15 A，I
E
= 0
IC = 10 A，
IB1 = -IB2 = 40毫安
RL = 3Ω ; VBE （关闭） = -4.2V
值班Cycle≤2 ％
民
45
60
80
100
120
-
典型值
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
-
1
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极可持续
电压（*）
V
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
mA
-
-
0.5
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
mA
-
-
5
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
V
EC
t
on
t
关闭
发射Cuto FF电流
直流电流增益（ * ）
集电极 - 发射极饱和
电压（1）
基射极电压（ * ）
并联二极管正向
电压
开启时间
打开-O FF时间
-
750
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.9
7
2
20 K
-
2.5
4
2.5
3.5
-
-
mA
-
V
V
µs
（ * ）脉冲宽度= 300
µs,
占空比< = 2 ％
23/10/2012
半导体COMSET
2|3
COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
