BDX66C 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BDX66C
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内容描述：	PNP硅DARLINGTONS [PNP SILICON DARLINGTONS]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 147 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

BDX 66 ， A，B ，C

单位

5.0

符号

评级

发射Cuto FF电流

测试条件（S ）

BDX66

BDX66A

BDX66B

BDX66C

民

典型值

-I

EBO

-V

=5 V

例

= 25 ° C， -V

=60 V

BDX66

例

= 200℃ ，-V

=40 V

例

= 25 ° C， -V

=50 V

BDX66A

例

=200°C,-V

=80 V

-I

CBO

集电极 - 基极截止

当前

例

= 25 ° C， -V

=100 V

BDX66B

例

= 200℃ ，-V

=60 V

例

= 25 ° C， -V

=120 V

BDX66C

例

= 200℃ ，-V

=70 V

1000

BDX66

BDX66A

BDX66B

BDX66C

BDX66

BDX66A

BDX66B

BDX66C

BDX66

BDX66A

2000

1000

300

2,5

-V

CE （ SAT ）

-V

22b

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和

电压（*）

基射极电压（ 1&2 ）

二极管的正向电压

-V

= 3 V ， - 我

=1 A

-V

= 3 V ， - 我

=10 A

-V

= 3 V ， - 我

=16 A

-I

= 10 A， -I

= 40毫安

-V

= 3 V ， -I

=10 A

= 0 ， -V

= -10V ， F = 1

兆赫

= 12V ，-I

= 10 A， -I

= 40毫安

开关特性

µs

半导体COMSET

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