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BDX67B 参数 Datasheet PDF下载

BDX67B图片预览

型号：	BDX67B
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内容描述：	NPN硅DARLINGTONS [NPN SILICON DARLINGTONS]
分类和应用：	晶体晶体管局域网
文件页数/大小：	5 页 / 217 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

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BDX67 ， A，B ，C

符号

评级

测试条件（S ）

民

-

典型值

-

-

-

-

5200

-

4000

-

最大

1

5

单位

T

例

= 25 ° C，V

CB

=100 V

BDX67B

I

CBO

集电极 - 基极截止

当前

T

例

= 200℃ ，V

CB

=60 V

T

例

= 25 ° C，V

CB

=120 V

-

-

BDX67C

-

-

1000

-

BDX67

BDX67A

BDX67B

BDX67C

BDX67

BDX67A

BDX67B

BDX67C

BDX67

BDX67A

BDX67B

BDX67C

BDX67

BDX67A

BDX67B

BDX67C

BDX67

BDX67A

BDX67B

BDX67C

BDX67

BDX67A

BDX67B

BDX67C

BDX67

BDX67A

BDX67B

BDX67C

-

mA

1

5

-

-

-

2

-

T

例

= 200℃ ，V

CB

=70 V

h

FE

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和

电压（*）

V

CE

= 3 V，I

C

=1 A

V

CE

= 3 V，I

C

=10 A

V

CE

= 3 V，I

C

=16 A

I

C

= 10 A，I

B

= 40毫安

V

CE （ SAT ）

V

V

BE

基射极电压（ 1&2 ）

V

CE

= 3 V，I

C

=10 A

-

-

2,5

V

V

F

二极管的正向电压

I

F

=10 A

-

2,5

-

V

C

c

I

E

= 0 ，V

CB

=10V

-

300

-

pF

t

on

开关特性

V

CC

= 12V，我

C

=-10 A

I

B1

=- I

B2

=0.04 A

-

1

-

µs

t

关闭

-

3.5

-

f

的hFE

V

CE

= -3 V，I

C

=-5 A

-

50

-

千赫

（ * ）脉冲宽度

≈

300

µs,

占空比

∠

2.0%

（ 1 ）集电极 - 发射极电压限制等V

CECI

= V

额定通过辅助电路

半导体COMSET

3/5

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