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BDY55_12 参数 Datasheet PDF下载

BDY55_12图片预览
型号: BDY55_12
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内容描述: NPN硅晶体管, DIFFUSED MESA [NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 79 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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BDY55 - BDY56
NPN硅晶体管, DIFFUSED MESA
该BDY55和BDY56安装在TO-3金属封装。
LF大信号功率放大
大电流快速切换。
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
J
T
S
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
功耗
结温
储存温度
BDY55
BDY56
BDY55
BDY56
价值
60
120
100
150
7
15
7
117
200
-65到+200
单位
V
V
V
A
A
W
°C
@ T
C
= 25°
热特性
符号
R
THJ -C
评级
热阻,结到外壳
价值
1.5
单位
° C / W
23/10/2012
半导体COMSET
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