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    BDY57_12 参数 Datasheet PDF下载

    BDY57_12图片预览
    型号： BDY57_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅晶体管的漫射MESA [SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 1093 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BDY57_12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BDY57_12的Datasheet PDF文件第3页  
    NPN BDY57 - BDY58
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    V
    CEO （ SUS ）
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    CER
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    评级
    集电极 - 发射极
    击穿电压（ * ）
    集电极 - 基
    击穿电压（ * ）
    发射极 - 基极击穿
    电压（*）
    集电极 - 基极截止
    当前
    集电极 - 发射极截止
    当前
    发射极 - 基极截止
    当前
    集电极 - 发射极
    饱和电压（ * ）
    测试条件（S ）
    I
    C
    = 100毫安，我
    B
    =0
    I
    C
    = 5.0毫安，我
    E
    =0
    I
    E
    = 5.0 A，I
    C
    =0
    V
    CB
    = 120 V，I
    E
    =0 V
    V
    CE
    = 80 V ，R
    BE
    =10
    T
    例
    =100°C
    V
    EB
    = 10 V，I
    C
    =0 V
    I
    C
    = 10 A，I
    B
    =1.0 A
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    =10 A
    BDY57
    BDY58
    BDY57
    BDY58
    BDY57
    BDY58
    BDY57
    BDY58
    BDY57
    BDY58
    BDY57
    BDY58
    BDY57
    BDY58
    BDY57
    BDY58
    BDY57
    BDY58
    BDY57
    BDY58
    BDY57
    BDY58
    BDY57
    BDY58
    BDY57
    BDY58
    民
    80
    125
    120
    160
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    20
    -
    10
    10
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    -
    0.5
    -
    -
    -
    0.25
    0.5
    -
    15
    -
    30
    0.25
    1
    最大单位
    -
    -
    -
    -
    1.4
    1.0
    0.5
    10
    0.5
    1.4
    60
    -
    -
    -
    1
    2
    兆赫
    µs
    µs
    V
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mA
    V
    h
    21E
    静态正向电流
    传输比（ * ）
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    =20 A
    V
    CE
    = 4 V，I
    C
    =10 A
    T
    例
    =-30°C
    V
    CE
    = 15 V，I
    C
    =1.0 A
    F = 10MHz的
    I
    C
    = 15 A，I
    B
    =1.5 A
    I
    C
    = 15 A，I
    B1
    =1.5 A
    I
    B2
    =-1.5 A
    f
    T
    t
    D + TR
    t
    S + TF
    跃迁频率
    开启时间
    打开-O FF时间
    （ * ）脉冲宽度≈ 300微秒，占空比
    ∠
    2.0%
    09/11/2012
    半导体COMSET
    2|3

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