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BSS50A 参数 Datasheet PDF下载

BSS50A图片预览
型号: BSS50A
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内容描述: 硅平面外延晶体管 [SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 167 K
品牌: COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
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NPN BSS50A - 51A - 52A
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
CBO
I
EB0
评级
收藏家Cuto FF电流
测试条件(S )
I
E
= 0 ;V
CB
= 45V
I
E
= 0 ;V
CB
= 60V
I
E
= 0 ;V
CB
= 80V
I
C
= 0 ;V
EB
=4 V
-
典型的Mx单位
-
50
nA
发射Cuto FF电流
BSS50A
BSS51A
BSS52A
BSS50A
BSS51A
BSS52A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
800
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
700
1.3
1.3
1.6
2.3
1.6
1.6
1.9
2.2
2.2
-
µA
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和
电压
V
BE ( SAT )
基射极饱和
电压
I
C
= 500毫安,我
B
-0.5毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 0.5毫安,T
j
=200°C
I
C
= 1 A,I
B
= 1毫安
BSS51A
I
C
= 1 A,I
B
= 1毫安,T
j
=200°C
I
C
= 1 A,I
B
= 4毫安
BSS50A
I
C
= 1 A,I
B
= 4毫安,T
j
=200°C
BSS52A
I
C
= 500毫安,我
B
-0.5毫安
I
C
= 1 A,I
B
= 1毫安
BSS51A
I
C
= 1 A,I
B
= 4毫安
I
C
= 150毫安, V
CE
=10 V
V
h
FE
直流电流增益
I
C
= 500毫安, V
CE
=10 V
I
C
= 500毫安, V
CE
=5 V
F = 35 MHz的
I
CON
± 500毫安
I
B1
=-I
B2
-0.5毫安
I
CON
= 1毫安
I
B1
=-I
B2
= 1毫安
h
fe
t
on
t
关闭
t
on
t
关闭
小信号电流增益
开关时间
开关时间
BSS50A
BSS52A
BSS50A
BSS51A
BSS52A
BSS50A
BSS51A
BSS52A
BSS50A
BSS51A
BSS52A
-
2000
-
-
-
-
-
-
-
10
0.4
1.5
0.4
1.5
-
-
-
-
-
-
µs
µs
半导体COMSET
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