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    BT137 参数 Datasheet PDF下载

    BT137图片预览
    型号： BT137
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双向可控硅 [TRIACS]
    分类和应用： 可控硅三端双向交流开关
    文件页数/大小： 3 页 / 172 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BT137的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BT137的Datasheet PDF文件第3页  
    半导体
    BT137系列
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    V
    DRM
    V
    RRM
    评级
    重复峰值断态
    电压
    反向重复峰值
    电压
    测试条件（S ）
    I
    D
    - 0.1毫安
    I
    D
    - 0.5毫安
    V
    D
    = 12 V
    R
    L
    = 100
    Ω
    V
    D
    = 12 V
    R
    L
    = 100
    Ω
    V
    D
    = 12 V
    I
    GT
    = 100毫安
    BT137-500
    BT137-600
    BT137-800
    BT137-500
    BT137-600
    BT137-800
    T2 + G +
    T2 + G-
    T2- G-
    T2- G +
    T2 + G +
    T2 + G-
    T2- G-
    T2- G +
    T2 + G +
    T2 + G-
    T2- G-
    T2- G +
    民
    500
    600
    800
    500
    600
    800
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    100
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    250
    最大
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    10
    10
    10
    25
    1.5
    1.5
    1.5
    1.8
    45
    60
    45
    60
    50
    0.5
    1.6
    -
    单位
    V
    I
    GT
    门极触发电流
    mA
    V
    GT
    门极触发电压
    V
    I
    L
    I
    H
    I
    D
    V
    T
    dV
    D
    / DT
    闭锁电流
    保持电流
    断态泄漏电流
    通态电压
    的临界上升率
    断态电压
    的临界上升率
    变化commutatating
    当前
    门控开启
    时间
    mA
    mA
    mA
    V
    V / μs的
    I
    T
    = 200毫安，我
    GT
    = 50毫安
    V
    D
    = V
    DRM最大
    T
    j
    = 125°C
    I
    T
    = 20 A
    V
    DM
    = 67% V
    DRMmax
    T
    j
    = 125°C
    指数波形;
    门开路
    V
    D
    = 400 V ;牛逼
    j
    = 95 °C
    dI
    COM
    / DT = 3.6 A / MS;我
    T
    = 8 A
    门开路
    I
    TM
    = 12 A; V
    D
    = V
    DRMmax
    I
    G
    = 0.1 A;的dI
    G
    / DT = 5 A / μs的
    dV
    COM
    / DT
    t
    gt
    -
    -
    20
    2
    -
    -
    V / μs的
    µs
    26/09/2012
    半导体COMSET
    2|3

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