BU508DF_12 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BU508DF_12
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内容描述：	硅扩散型功率晶体管 [SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 109 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

半导体

NPN BU508DF

硅扩散型功率晶体管

该BU508DF是TO3PFa封装，集成一个NPN外延基晶体管

效率二极管。

它的目的是为高压，高速的。

主要用于彩色电视接收机的水平偏转电路中使用。

符合RoHS指令。

绝对最大额定值

符号

CBO

首席执行官

EBO

评级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流

基极电流峰值

总功耗

@ T

< 25 °

结温

存储温度范围

价值

1500

700

150

-65到+150

单位

°C

热特性

符号

thJC

评级

结到散热器

交界处的环境

条件

无散热化合物

与复合散热器

在自由空气

价值

典型值。

最大

3.7

2.8

单位

K / W

15/10/2012

半导体COMSET

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