BUZ31 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BUZ31
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内容描述：	功率MOS晶体管 [POWER MOS TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 106 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

半导体

BUZ31

功率MOS晶体管

特征

•

N沟道

增强型

雪崩额定值

的TO-220信封

符合RoHS指令。

绝对最大额定值

符号

DS （ ON）

英镑

评级

漏源电压

连续漏电流T

= 37°C

脉冲漏电流T

= 25°C

雪崩电流，通过电讯有限公司

JMAX

雪崩能量，被T周期性有限公司

JMAX

雪崩能量，单脉冲

= 14.5 A，V

= 50 V ，R

= 25

Ω

L = 1.42 mH的，T

= 25°C

栅源电压

漏源导通电阻

在案件温T功耗

= 25°C

工作温度

存储温度范围

价值

200

14.5

200

0.2

-55到+150

单位

Ω

°C

热特性

符号

thJC

thJA

评级

热电阻，片式案例

热电阻，芯片到环境

价值

<1.32

<75

单位

K / W

01/10/2012

半导体COMSET

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