BUZ71 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BUZ71
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内容描述：	N沟道增强型功率MOS晶体管 [N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	3 页 / 106 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

半导体

BUZ71

N沟道增强模式

功率MOS晶体管

特征

N沟道在一个塑料TO220封装。

它们被设计用于开关模式电源的使用，

马达控制，焊接，

的DC-DC &的DC- AC转换器，并在通用

开关应用。

符合RoHS指令。

绝对最大额定值

符号

DS （ ON）

英镑

评级

漏源电压

连续漏电流T

= 37°C

脉冲漏电流T

= 25°C

雪崩电流，通过电讯有限公司

JMAX

雪崩能量，单脉冲

= 14 A，V

= 25 V ，R

= 25

Ω,

L = 30.6 μH ，T

= 25°C

雪崩能量，被T周期性有限公司

JMAX

栅源电压

漏源导通电阻

在案件温T功耗

= 25°C

工作温度

存储温度范围

价值

0.1

-55到+150

单位

Ω

°C

热特性

符号

thJC

thJA

评级

热阻，结案件

热阻，结到环境

价值

3.1

单位

K / W

01/10/2012

半导体COMSET

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