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    BUZ73A 参数 Datasheet PDF下载

    BUZ73A图片预览
    型号： BUZ73A
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    内容描述： N沟道增强型功率MOS晶体管 [N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 104 K
    品牌： COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BUZ73A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BUZ73A的Datasheet PDF文件第3页  
    半导体
    BUZ73A
    N沟道增强模式
    功率MOS晶体管
    特征
    这是一个N沟道增强型硅栅
    专为应用，功率场效应晶体管
    开关稳压器，开关转换器，电机
    驱动器，继电器驱动器和高功率双极驱动器
    需要高速和低门开关晶体管
    驱动器电源。
    这种类型的可以直接从集成电路被操作
    并容纳在一个TO -220信封。
    绝对最大额定值
    符号
    V
    DS
    V
    SD
    I
    DS
    I
    DM
    V
    GS
    R
    DS （ ON）
    P
    T
    t
    J
    t
    英镑
    t
    L
    评级
    漏源电压
    漏源电压二极管
    连续漏电流T
    C
    = 37°C
    脉冲漏电流T
    C
    = 25°C
    栅源电压
    漏源导通电阻
    在案件温T功耗
    C
    = 25°C
    工作温度
    存储温度范围
    焊接温度1.6毫米案件从10 Seconde系列
    价值
    200
    <1.7
    5.5
    22
    20
    0.6
    40
    -55到+150
    -55到+150
    300
    单位
    V
    V
    A
    A
    V
    Ω
    瓦
    °C
    01/10/2012
    半导体COMSET
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