IRF630 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF630
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内容描述：	N沟道增强型功率MOS晶体管 [N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 106 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

半导体

IRF630

N沟道增强模式

功率MOS晶体管

特征

N沟道在一个塑料TO220封装。

它们被设计用于高速开关的使用，

不间断电源，电机控制，音频放大器，

工业执行器。

DC-DC & DC - AC转换器用于通信，工业和

消费环境。

符合RoHS指令。

绝对最大额定值

符号

DS （ ON）

英镑

评级

漏源电压

连续漏电流T

= 37°C

脉冲漏电流T

= 25°C

雪崩电流，通过电讯有限公司

JMAX

雪崩能量，单脉冲

= 2.4 A，V

= 50 V ，R

= 25

Ω,

L = 56.3 μH ，T

= 25°C

雪崩能量，被T周期性有限公司

JMAX

栅源电压

漏源导通电阻

在案件温T功耗

= 25°C

工作温度

存储温度范围

价值

200

250

7.4

0.4

-55到+150

单位

Ω

°C

热特性

符号

thJC

thJA

评级

热阻，结案件

热阻，结到环境

价值

1.7

单位

° C / W

01/10/2012

半导体COMSET

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