半导体
TIC126A ， TIC126B ， TIC126C ， TIC126D ， TIC126E ， TIC126M ，
TIC126N ， TIC126S
热特性
符号
t
gt
t
q
R
θJC
R
θJA
门控
开启时间
电路交流
打开-O FF时间
评级
V
AA
= 30 V ，R
L
= 6
Ω,
R
GK （ EFF ）
= 100
Ω,
V
in
= 20 V
V
AA
= 30 V ，R
L
= 6
Ω,
I
RM
≈
10 A
价值
0.8
单位
µs
11
≤
2.4
≤
62.5
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
DRM
I
RRM
I
GT
评级
重复峰值断态电流
反向重复峰值电流
门极触发电流
测试条件（S ）
V
D
=额定V
DRM
, R
GK
= 1 kΩ,
T
C
= 110°C
V
R
=额定V
RRM
, I
G
= 0,
T
C
= 110°C
V
AA
= 6 V ，R
L
= 100
Ω,
t
P（ G）
≥
20µs
V
AA
= 6 V ，R
L
= 100
Ω,
R
GK
= 1千欧，T
P（ G）
≥
20µs,
T
C
= -40°C
V
AA
= 6 V ，R
L
= 100
Ω,
R
GK
= 1千欧，T
P（ G）
≥
20µs,
V
AA
= 6 V ，R
L
= 100
Ω,
R
GK
= 1千欧，T
P（ G）
≥
20µs,
T
C
= 110°C
V
AA
= 6 V ，R
GK
= 1 kΩ,
开始我
T
= 100毫安
V
AA
= 6 V ，R
GK
= 1 kΩ,
开始我
T
= 100毫安，
T
C
= -40°C
I
TM
= 8A （见注6 ）
V
D
=额定V
D
,
T
C
= 110°C
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
0.2
-
-
-
-
-
-
5
-
0.8
-
-
-
-
100
2
2
20
2.5
1.5
-
40
mA
70
1.4
-
V
V / μs的
V
mA
mA
mA
V
GT
门极触发电压
I
H
保持电流
V
TM
dv / dt的
峰值通态电压
崛起的断态临界速率
电压
注6 ：
该参数必须使用脉冲技术进行测量，T
W
= 300μS ，占空比
≤
2％ ，电压传感
接触，分离了courrent承载触点，位于内3.2毫米（1/8英寸）的解装置主体。
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