半导体
TIC216A ， TIC216B ， TIC216D ， TIC216M ， TIC216N ， TIC216S
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
这些值适用于双向地对电阻的栅极与主终端之间的任意值
1.
此值适用于带阻性负载50赫兹全正弦波操作。高于70 °C减免
线性地以150mA /速率℃， 110℃的情况下的温度。
该值适用于一个50赫兹的全正弦波时，器件工作在（或以下）的额定
通态电流的值。电涌可能会重复后，设备又恢复到原来的热
平衡状态。在激增，门控可能会丢失。
该值适用于一个50赫兹的半正弦波，当器件工作在（或以下）的额定
通态电流的值。电涌可能会重复后，设备又恢复到原来的热
平衡状态。在激增，门控可能会丢失。
该值适用于20ms的最大平均时间。
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
评级
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
价值
≤
2.5
≤
62.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
DRM
评级
场外重复峰值
目前状态
门极触发电流
测试条件（S ）
V
D
=额定V
DRM
, , I
G
= 0,
T
C
= 110°C
V
供应
= + 12V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V † ，R
L
= 10
Ω,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V † ，我
G
= 0,
开始我
TM
= 100毫安
V
供应
= -12 V † ，我
G
= 0,
开始我
TM
= -100毫安
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-20
-
±50
-
±2
5
-5
-5
10
2.2
-2.2
-2.2
3
30
mA
-30
-
-
±1.7
-
V / μs的
-
mA
V
mA
I
GT
mA
V
GT
门极触发电压
V
I
H
保持电流
I
L
V
TM
dv / dt的
dv / dt的
©
闭锁电流
峰值通态电压
的临界上升率
断态电压
关键崛起
交流电压
V
供应
= + 12V † （ seeNote7 ）
V
供应
= -12 V † （ seeNote7 ）
I
TM
= ± 8.4 A，I
G
= 50 MA（见注6 ）
V
DRM
=额定V
DRM
, I
G
= 0
T
C
= 110°C
V
DRM
=额定V
DRM
, I
TRM
= ± 8.4A
T
C
= 70°C
†所有的电压都是白衣对于主终端1 。
分页： 1 2 3
COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]
