TIC226N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TIC226N
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内容描述：	硅双向晶闸管 [SILICON BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR]
分类和应用：	触发装置三端双向交流开关局域网
文件页数/大小：	4 页 / 165 K
品牌：	COMSET [ COMSET SEMICONDUCTOR ]

半导体

TIC226A ， TIC226B ， TIC226C ， TIC226D ， TIC226E ， TIC226M ，

TIC226N ， TIC226S

硅双向晶闸管

•

8均方根

70 A峰值

玻璃钝化硅片

100 V到800 V断态电压

我最大

为50 mA （象限1-3）

高温，高电流和高电压应用

符合RoHS指令

描述

这个设备是一个双向晶闸管（可控硅），其可以从关闭状态被触发成导通

国家通过门控信号的任一极性与主终端2在任一极性。

绝对最大额定值

价值

DRM

T（ RMS ）

TSM

G（ AV ）

英镑

重复峰值断态电压

（见注1）

全周期RMS通态电流

（或低于） 70℃的情况下的温度

（见注2 ）

峰值通态浪涌电流

全正弦波（见注3 ）

峰值通态浪涌电流

半正弦波（见注4 ）

栅极峰值电流

在栅极峰值功耗

（或低于） 85 ℃的情况下，温度

（脉冲宽度

≤200

µs)

在门的平均功耗

（或低于） 85 ℃的情况下（见注5）

工作温度范围

存储温度范围

从案例铅温度1.6毫米

10秒

符号

评级

单位

°C

100 200 300 400 500 600 700 800

±1

2.2

0.9

-40到+110

-40到+125

230

30/10/2012

半导体COMSET

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