半导体
PNP TIP115-116-117
硅达林顿功率晶体管
在单片Dalrington电路的PNP外延基区晶体管和容纳在一个TO -220
ENVELOPPE 。它们被设计为通用放大器和低速开关
应用程序。
NPN互补的TIP110-111-112
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
评级
TIP110
TIP111
TIP112
TIP110
TIP111
TIP112
TIP110
TIP111
TIP112
TIP110
TIP111
TIP112
TIP110
TIP111
TIP112
TIP110
TIP111
TIP112
TIP110
TIP111
TIP112
TIP110
TIP111
TIP112
TIP110
TIP111
TIP112
TIP110
TIP111
TIP112
价值
-60
-80
-100
-60
-80
-100
-5
单位
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
V
I
C
集电极电流
-2
A
I
CM
集电极电流峰值
-4
A
I
B
基极电流
50
mA
@ T
c
< 25 °
P
T
功耗
@ T
a
< 25 °
50
瓦
2
T
J
结温
150
°C
-65到+150
T
s
存储温度范围
05/10/2012
半导体COMSET
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