半导体
TIP150
硅达林顿功率晶体管
在单片Dalrington电路NPN型外延基区晶体管和容纳在一个TO -220
ENVELOPPE 。
高电压,高正向和反向能量设计用于工业和消费
应用程序。
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
t
J
t
s
t
L
评级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值( 1 )
基极电流
在功耗情况
温度(2)
@ T
mb
< 25 °
在自由空气中的功耗
温度(3)
结温
存储温度范围
从案例焊接温度3.2毫米10 Seconde系列
价值
300
300
8
7
10
1.5
80
单位
V
V
V
A
A
A
瓦
2
-65到+150
-65到+150
260
°C
1。此值适用于吨
p
<5ms ,占空比<10 % 。
2.减额直线到150℃情况下,温度保持在0.64 W / ℃的速率。
3.减免线性至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
热特性
符号
R
thJC
R
thJA
评级
从结到外壳热阻
从结到自由空气的热阻
价值
2.5
62.5
单位
° C / W
15/10/2012
09/11/2012
半导体COMSET
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