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C2M1000170D 参数 Datasheet PDF下载

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型号: C2M1000170D
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内容描述: 碳化硅功率MOSFET Z- FETTM MOSFET [Silicon Carbide Power MOSFET Z-FETTM MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 620 K
品牌: CREE [ CREE, INC ]
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V
DS
1700 V
4.9 A
1.0
C2M1000170D
碳化硅功率MOSFET
TM
Z- FET MOSFET
N沟道增强模式
特点
I
D
@ 25˚C
R
DS ( ON)
高速开关低的电容
高阻断电压与低R
DS ( ON)
易于并行和简单驱动器
抗闩锁
无卤素,符合RoHS
TO-247-3
好处
更高的系统效率
增加了系统的开关频率
减少冷却要求
提高了系统的可靠性
应用
辅助电源
开关模式电源
产品型号
C2M1000170D
TO-247-3
最大额定值
(T
C
= 25 ˚C unless otherwise specified)
符号
参数
连续漏电流
价值
4.9
3.0
5.0
-10/+25
69
-55〜
+150
260
1
8.8
单位
A
测试条件
V
GS
= 20 V ,T
C
= 25 °C
V
GS
= 20 V ,T
C
= 100 °C
图。 14
I
DS ( DC )
I
DS (脉冲)
漏电流脉冲
V
GS
P
合计
T
J
, T
英镑
T
L
M
d
门源电压
功耗
工作结温和存储温度
焊锡温度
安装力矩
A
V
W
˚C
˚C
脉冲宽度t
P
限制T
JMAX
T
C
= 25 °C
图。 16
T
C
=25 °C,
T
J
= 150 °C
图。 13
1.6毫米( 0.063 “ )的情况下为10秒
Nm
M3或6-32螺丝
磅力 - 英寸
1
C2M1000170D版本A