最大额定值AT＆T
A
= 25°C
注1,3 ， & 4
直流正向电流
Peak Forward Current (1/10 duty cycle @ 1 kHz)
LED结温
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
静电放电阈值（ HBM ）
Note 2
Electrostatic Discharge Classification (MIL-STD-883E)
Note 2
在T典型电气/光学特性
A
= 25°C ，如果= 50毫安
产品型号
正向电压（V
f
, V)
分钟。
C450DA3547-Sxxx00
C460DA3547-Sxxx00
机械的特定网络阳离子
描述
P-N结区（ μm）的
芯片的底部面积（ μm）的
芯片的顶部区域（微米）
片厚度（μm）
金锡键合焊盘宽度 - 阳极（ UM）
金锡粘结垫长度 - 阳极（ UM）
金锡键合焊盘宽度 - 阴极（ UM）
金锡粘结垫长度 - 阴极（ UM）
焊盘间隙（微米）
的AuSn键合焊盘的厚度（μm ）
2.8
2.8
典型值。
3.1
3.1
马克斯。
3.4
3.4
注3
CxxxDA3547-Sxxx00
150 mA
200 mA
150°C
5 V
-40°C to +100°C
-40°C to +100°C
1000 V
Class 2
反向电流
[我（VR = 5V ） ， μA ]
马克斯。
2
2
全宽半最大
(λ
D
，NM ）
典型值。
20
21
CxxxDA3547-Sxxx00
维
296 x 416
350 x 470
200 x 320
155
90
296
236
296
90
3
公差
±35
±35
±35
±15
±15
±35
±35
±35
±15
±0.5
注意事项：
1.
2.
3.
4.
最大额定值是包依赖性。上述评级被使用的芯片子安装在MCPCB （有机硅封装和决定
内在的金锡金属芯片附着）的表征。评分其他包可能会有所不同。结温度应特征的特定
package to determine limitations. Assembly processing temperature must not exceed 325°C (< 5 seconds).
产品的耐根据HBM静电放电（ESD ）是通过使用快速雪崩能量测试（ RAET ）模拟的ESD测量。
该RAET程序设计为近似显示的最大ESD额定值。
所有产品均符合上市最低和最高规格的电气和光学特性和组装工作时
at 50 mA within the maximum ratings shown above. Efficiency decreases at higher currents. Typical values given are within the range of average
values expected by manufacturer in large quantities and are provided for information only. All measurements were made using lamps in T-1 3/4
包（带多Hysol OS4000环氧密封剂和内在的金锡金属芯片附着） 。在积分球测量的光学特性
使用照度E.
的最大正向电流由LED结和环境之间的热阻来决定。这是至关重要的最终产物是
设计中，为了优化产品的性能最大限度地减少从LED结点到环境的热阻的方式。
160
140
最大正向电流（mA ）
120
100
80
60
40
20
0
50
75
100
125
150
175
RTH
J- á
= 10
RTH
J- á
= 20
RTH
J- á
= 30
RTH
J- á
= 40
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
环境温度（ ℃）
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2
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